Module; single transistor; 1.1kV; 34A; SOT227B; screw; Idm: 100A

62.96/ gab.Cena
ieskaitot PVN 21%
ID:384268
Kods:IXFN40N110P
Artikuls:IXFN40N110P
Grupa:Elektronika un rūpniecībaPusvadītājiTranzistoriUnipolārie tranzistoriTranzistoru moduļi MOSFET
Ražotājs:IXYS
Pieejamība piegādātāja noliktavā:
1- Precizēt pieejamību rakstot uz e-pastu semicom@semicom.lv
Piegādes laiks:1-2 darba dienas
Minimalālais daudzums:1
Produkta apraksts
Manufacturer:IXYS
Technology:HiPerFET™
Technology:Polar™
Case:SOT227B
On-state resistance:0.26Ω
Power dissipation:890W
Semiconductor structure:single transistor
Reverse recovery time:300ns
Drain-source voltage:1.1kV
Drain current:34A
Polarisation:unipolar
Electrical mounting:screw
Mechanical mounting:screw
Type of module:MOSFET transistor
Gate charge:310nC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±40V
Pulsed drain current:100A
(EN)
Parametri
Vienības svars:0.035 kg
Minimālais pasūtījums:1
Uzdot jautājumu


+371 67543310
P-PK 9-18
KATEGORIJAS