Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A

69.88/ gab.Cena
ieskaitot PVN 21%
ID:371853
Kods:IXFN210N30P3
Artikuls:IXFN210N30P3
Grupa:Elektronika un rūpniecībaPusvadītājiTranzistoriUnipolārie tranzistoriTranzistoru moduļi MOSFET
Ražotājs:IXYS
Pieejamība piegādātāja noliktavā:
1- Precizēt pieejamību rakstot uz e-pastu semicom@semicom.lv
Piegādes laiks:1-2 darba dienas
Minimalālais daudzums:1
Produkta apraksts
Manufacturer:IXYS
Semiconductor structure:single transistor
Reverse recovery time:250ns
Drain-source voltage:300V
Drain current:192A
On-state resistance:14.5mΩ
Power dissipation:1.5kW
Polarisation:unipolar
Electrical mounting:screw
Mechanical mounting:screw
Type of module:MOSFET transistor
Gate charge:268nC
Technology:HiPerFET™
Technology:Polar3™
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±30V
Pulsed drain current:550A
Case:SOT227B
(EN)
Parametri
Vienības svars:0.037 kg
Minimālais pasūtījums:1
Uzdot jautājumu


+371 67543310
P-PK 9-18
KATEGORIJAS