Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN

4.96/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1240022
Код:GT40QR21
Артикул:GT40QR21(STA1,E,D
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Tranzistori un moduļi IGBT (LV)Tranzistori IGBT (LV)Tranzistori IGBT THT (LV)
Производитель:TOSHIBA
Доступно на складе:
488
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:TOSHIBA
Mounting:THT
Collector-emitter voltage:1.2kV
Gate-emitter voltage:±25V
Collector current:35A
Pulsed collector current:80A
Turn-on time:0.3µs
Turn-off time:0.6µs
Type of transistor:IGBT
Power dissipation:230W
Kind of package:tube
Case:TO3PN
Features of semiconductor devices:integrated anti-parallel diode
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.004 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста