 | Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-313.15€/ gab.Цена в том числе НДС 21%
|
Описание товара
| Manufacturer: | ONSEMI |
| Type of transistor: | IGBT |
| Collector-emitter voltage: | 1.2kV |
| Collector current: | 40A |
| Power dissipation: | 277W |
| Case: | TO247-3 |
| Gate-emitter voltage: | ±25V |
| Pulsed collector current: | 160A |
| Mounting: | THT |
| Gate charge: | 0.37µC |
| Kind of package: | tube |
| Features of semiconductor devices: | integrated anti-parallel diode |
Параметры
| Вес единицы: | 0.004 кг |
|---|---|
| Минимальный заказ: | 1 |
Задать вопрос
Līdzīgas preces
Līdzīgas preces
АКЦИИ / ВЫГОДНЫЕ ПРЕДЛОЖЕНИЕ
VEIKALIEM.LV