Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN

6.67/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:842073
Код:GT50JR22
Артикул:GT50JR22(STA1,E,S)
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Tranzistori un moduļi IGBT (LV)Tranzistori IGBT (LV)Tranzistori IGBT THT (LV)
Производитель:TOSHIBA
Доступно на складе:
272
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:TOSHIBA
Type of transistor:IGBT
Collector-emitter voltage:600V
Collector current:44A
Power dissipation:115W
Case:TO3PN
Gate-emitter voltage:±25V
Pulsed collector current:100A
Mounting:THT
Kind of package:tube
Turn-on time:250ns
Turn-off time:330ns
Features of semiconductor devices:integrated anti-parallel diode
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.004 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста