Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN

8.54/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:840409
Код:FGA60N65SMD
Артикул:FGA60N65SMD
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Tranzistori un moduļi IGBT (LV)Tranzistori IGBT (LV)Tranzistori IGBT THT (LV)
Производитель:ONSEMI
Доступно на складе:
90
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:ONSEMI
Type of transistor:IGBT
Collector-emitter voltage:650V
Collector current:60A
Power dissipation:300W
Case:TO3PN
Gate-emitter voltage:±20V
Pulsed collector current:180A
Mounting:THT
Gate charge:284nC
Kind of package:tube
Features of semiconductor devices:integrated anti-parallel diode
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.005 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста