Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W

2.45/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:278699
Код:IRF630
Артикул:IRF630
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu THT (LV)
Производитель:STMICROELECTRONICS
Доступно на складе:
869
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:STMicroelectronics
Case:TO220-3
Mounting:THT
On-state resistance:0.4Ω
Kind of package:tube
Technology:MESH OVERLAY™ II
Type of transistor:N-MOSFET
Power dissipation:75W
Polarisation:unipolar
Features of semiconductor devices:ESD protected gate
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±20V
Drain-source voltage:200V
Drain current:5.7A
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.001 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста