Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W

7.25/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:200862
Код:IXTP2R4N120P
Артикул:IXTP2R4N120P
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu THT (LV)
Производитель:IXYS
Доступно на складе:
70
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:IXYS
Case:TO220AB
Technology:Polar™
Kind of package:tube
Mounting:THT
Features of semiconductor devices:standard power mosfet
Type of transistor:N-MOSFET
Power dissipation:125W
Polarisation:unipolar
Gate charge:37nC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±30V
Pulsed drain current:6A
Reverse recovery time:920ns
Drain-source voltage:1.2kV
Drain current:2.4A
On-state resistance:7.5Ω
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.002 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста