Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W

13.93/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1635357
Код:B2M065120H
Артикул:B2M065120H
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu THT (LV)
Производитель:BASiC SEMICONDUCTOR
Доступно на складе:
8
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:BASiC SEMICONDUCTOR
Mounting:THT
On-state resistance:65mΩ
Type of transistor:N-MOSFET
Power dissipation:250W
Polarisation:unipolar
Gate charge:60nC
Technology:SiC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:-4...18V
Pulsed drain current:85A
Kind of package:tube
Case:TO247-3
Drain-source voltage:1.2kV
Drain current:33A
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.006 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста