Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC

5.12/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1666593
Код:SIHG15N60E-GE3
Артикул:SIHG15N60E-GE3
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu THT (LV)
Производитель:VISHAY
Доступно на складе:
220
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:VISHAY
Case:TO247AC
Kind of package:tube
On-state resistance:0.28Ω
Type of transistor:N-MOSFET
Power dissipation:180W
Polarisation:unipolar
Gate charge:78nC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±30V
Pulsed drain current:39A
Mounting:THT
Drain-source voltage:600V
Drain current:9.6A
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.004 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста