Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 8.4A; Idm: 56A; 183W

7.31/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1611447
Код:WMJ80R350S-CYG
Артикул:WMJ80R350S
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu THT (LV)
Производитель:WAYON
Доступно на складе:
298
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:WAYON
Technology:WMOS™ S
Mounting:THT
Power dissipation:183W
Case:TO247-3
Kind of package:tube
Pulsed drain current:56A
Drain-source voltage:800V
Drain current:8.4A
On-state resistance:0.33Ω
Type of transistor:N-MOSFET
Polarisation:unipolar
Gate charge:31nC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±30V
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.006 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста