Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6

1.03/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1033939
Код:FDC658AP
Артикул:FDC658AP
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar P veida kanālu (LV)Tranzistori ar P veida kanālu SMD (LV)
Производитель:ONSEMI
Доступно на складе:
2931
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:ONSEMI
Mounting:SMD
Features of semiconductor devices:logic level
Case:SuperSOT-6
Power dissipation:1.6W
Technology:PowerTrench®
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Type of transistor:P-MOSFET
Polarisation:unipolar
Gate charge:8.1nC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±25V
Drain-source voltage:-30V
Drain current:-4A
On-state resistance:75mΩ
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста