IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2÷1.4A

3.25/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1291755
Код:NCP5181DR2G
Артикул:NCP5181DR2G
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Integrētas shēmas (LV)Analogu un kombinētas shēmas (LV)MOSFET/IGBT draiveri (LV)
Производитель:ONSEMI
Доступно на складе:
1879
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:ONSEMI
Supply voltage:10...20V DC
Output current:-2.2...1.4A
Type of integrated circuit:driver
Impulse rise time:60ns
Pulse fall time:40ns
Number of channels:2
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Protection:undervoltage UVP
Kind of integrated circuit:gate driver
Kind of integrated circuit:high-/low-side
Topology:IGBT half-bridge
Topology:MOSFET half-bridge
Voltage class:600V
Mounting:SMD
Operating temperature:-40...125°C
Case:SO8
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста