Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A

1.56/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:228703
Код:SI9407BDY-T1-GE3
Артикул:SI9407BDY-T1-GE3
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar P veida kanālu (LV)Tranzistori ar P veida kanālu SMD (LV)
Производитель:VISHAY
Доступно на складе:
2477
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:VISHAY
Mounting:SMD
Power dissipation:5W
Polarisation:unipolar
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Gate charge:22nC
Technology:TrenchFET®
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±20V
Pulsed drain current:-20A
Case:SO8
Drain-source voltage:-60V
Drain current:-4.7A
On-state resistance:0.15Ω
Type of transistor:P-MOSFET
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста