Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3

13.80/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:382166
Код:IXBH10N170
Артикул:IXBH10N170
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Tranzistori un moduļi IGBT (LV)Tranzistori IGBT (LV)Tranzistori IGBT THT (LV)
Производитель:IXYS
Доступно на складе:
27
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:IXYS
Technology:BiMOSFET™
Mounting:THT
Power dissipation:140W
Features of semiconductor devices:high voltage
Case:TO247-3
Kind of package:tube
Collector-emitter voltage:1.7kV
Gate-emitter voltage:±20V
Collector current:10A
Pulsed collector current:40A
Turn-on time:63ns
Turn-off time:1.8µs
Type of transistor:IGBT
Gate charge:30nC
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.006 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста