   | Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 65A; 1.04kW; PLUS247™82.52€/ gab.Цена в том числе НДС 21%
|
Описание товара
| Manufacturer: | IXYS |
| Technology: | BiMOSFET™ |
| Mounting: | THT |
| Power dissipation: | 1.04kW |
| Features of semiconductor devices: | high voltage |
| Case: | PLUS247™ |
| Kind of package: | tube |
| Collector-emitter voltage: | 1.7kV |
| Gate-emitter voltage: | ±20V |
| Collector current: | 65A |
| Pulsed collector current: | 300A |
| Turn-on time: | 65ns |
| Turn-off time: | 595ns |
| Type of transistor: | IGBT |
| Gate charge: | 358nC |
Параметры
| Вес единицы: | 0.006 кг |
|---|---|
| Минимальный заказ: | 1 |
Задать вопрос
Līdzīgas preces
Līdzīgas preces
АКЦИИ / ВЫГОДНЫЕ ПРЕДЛОЖЕНИЕ
VEIKALIEM.LV