Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 75A; 1.04kW; PLUS247™

93.04/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:382156
Код:IXBX75N170
Артикул:IXBX75N170
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Tranzistori un moduļi IGBT (LV)Tranzistori IGBT (LV)Tranzistori IGBT THT (LV)
Производитель:IXYS
Доступно на складе:
30
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:IXYS
Kind of package:tube
Collector-emitter voltage:1.7kV
Gate-emitter voltage:±20V
Collector current:75A
Pulsed collector current:580A
Turn-on time:277ns
Turn-off time:840ns
Type of transistor:IGBT
Power dissipation:1.04kW
Features of semiconductor devices:high voltage
Gate charge:0.35µC
Technology:BiMOSFET™
Technology:FRED
Mounting:THT
Case:PLUS247™
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.006 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста