Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 75A; 1.04kW; TO264

85.72/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:266316
Код:IXBK75N170
Артикул:IXBK75N170
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Tranzistori un moduļi IGBT (LV)Tranzistori IGBT (LV)Tranzistori IGBT THT (LV)
Производитель:IXYS
Доступно на складе:
25
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:IXYS
Case:TO264
Mounting:THT
Collector-emitter voltage:1.7kV
Gate-emitter voltage:±20V
Collector current:75A
Pulsed collector current:580A
Turn-on time:277ns
Turn-off time:840ns
Type of transistor:IGBT
Power dissipation:1.04kW
Kind of package:tube
Features of semiconductor devices:high voltage
Gate charge:0.35µC
Technology:BiMOSFET™
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.009 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста