   | Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV105.68€/ gab.Цена в том числе НДС 21%
|
Описание товара
| Manufacturer: | IXYS |
| Collector-emitter voltage: | 3kV |
| Gate-emitter voltage: | ±20V |
| Collector current: | 10A |
| Pulsed collector current: | 88A |
| Turn-on time: | 805ns |
| Turn-off time: | 2.13µs |
| Type of transistor: | IGBT |
| Power dissipation: | 180W |
| Kind of package: | tube |
| Features of semiconductor devices: | high voltage |
| Gate charge: | 46nC |
| Technology: | BiMOSFET™ |
| Mounting: | THT |
| Case: | TO247HV |
Параметры
| Вес единицы: | 0.006 кг |
|---|---|
| Минимальный заказ: | 1 |
Задать вопрос
Līdzīgas preces
Līdzīgas preces
АКЦИИ / ВЫГОДНЫЕ ПРЕДЛОЖЕНИЕ
VEIKALIEM.LV