   | Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV78.26€/ gab.Цена в том числе НДС 21%
|
Описание товара
| Manufacturer: | IXYS |
| Mounting: | SMD |
| Collector-emitter voltage: | 3kV |
| Gate-emitter voltage: | ±20V |
| Collector current: | 42A |
| Pulsed collector current: | 400A |
| Turn-on time: | 652ns |
| Turn-off time: | 950ns |
| Type of transistor: | IGBT |
| Power dissipation: | 500W |
| Kind of package: | tube |
| Features of semiconductor devices: | high voltage |
| Gate charge: | 200nC |
| Technology: | BiMOSFET™ |
| Case: | TO268HV |
Параметры
| Вес единицы: | 0.003 кг |
|---|---|
| Минимальный заказ: | 1 |
Задать вопрос
Līdzīgas preces
Līdzīgas preces
АКЦИИ / ВЫГОДНЫЕ ПРЕДЛОЖЕНИЕ
VEIKALIEM.LV