Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.04kW; PLUS264™

40.99/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:382110
Код:IXYB82N120C3H1
Артикул:IXYB82N120C3H1
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Tranzistori un moduļi IGBT (LV)Tranzistori IGBT (LV)Tranzistori IGBT THT (LV)
Производитель:IXYS
Доступно на складе:
21
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:IXYS
Case:PLUS264™
Kind of package:tube
Mounting:THT
Collector-emitter voltage:1.2kV
Gate-emitter voltage:±20V
Collector current:82A
Pulsed collector current:320A
Turn-on time:119ns
Turn-off time:295ns
Type of transistor:IGBT
Power dissipation:1.04kW
Gate charge:215nC
Technology:GenX3™
Technology:Planar
Technology:XPT™
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.01 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста