Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 20A; 250W; TO247-3

15.33/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:998999
Код:APT13GP120BDQ1G
Артикул:APT13GP120BDQ1G
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Tranzistori un moduļi IGBT (LV)Tranzistori IGBT (LV)Tranzistori IGBT THT (LV)
Производитель:MICROCHIP (MICROSEMI)
Доступно на складе:
82
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:MICROCHIP (MICROSEMI)
Collector-emitter voltage:1.2kV
Gate-emitter voltage:±20V
Collector current:20A
Pulsed collector current:50A
Turn-on time:21ns
Turn-off time:270ns
Type of transistor:IGBT
Power dissipation:250W
Kind of package:tube
Features of semiconductor devices:integrated anti-parallel diode
Gate charge:55nC
Technology:POWER MOS 7®
Technology:PT
Mounting:THT
Case:TO247-3
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.006 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста