Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 20A; 250W; TO247-3

15.50/ gab.Cena
ieskaitot PVN 21%
ID:998999
Kods:APT13GP120BDQ1G
Artikuls:APT13GP120BDQ1G
Grupa:Elektronika un rūpniecībaPusvadītājiTranzistoriTranzistori un moduļi IGBTTranzistori IGBTTranzistori IGBT THT
Ražotājs:MICROCHIP (MICROSEMI)
Pieejamība piegādātāja noliktavā:
82
Piegādes laiks:1-2 darba dienas
Minimalālais daudzums:1
Produkta apraksts
Manufacturer:MICROCHIP (MICROSEMI)
Collector-emitter voltage:1.2kV
Gate-emitter voltage:±20V
Collector current:20A
Pulsed collector current:50A
Turn-on time:21ns
Turn-off time:270ns
Type of transistor:IGBT
Power dissipation:250W
Kind of package:tube
Features of semiconductor devices:integrated anti-parallel diode
Gate charge:55nC
Technology:POWER MOS 7®
Technology:PT
Mounting:THT
Case:TO247-3
(EN)
Parametri
Vienības svars:0.006 kg
Minimālais pasūtījums:1
Uzdot jautājumu


+371 67543310
P-PK 9-18
KATEGORIJAS