Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 46A; 543W; T-Max

107.11/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1058723
Код:APT35GP120B2DQ2G
Артикул:APT35GP120B2DQ2G
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Tranzistori un moduļi IGBT (LV)Tranzistori IGBT (LV)Tranzistori IGBT THT (LV)
Производитель:MICROCHIP (MICROSEMI)
Доступно на складе:
26
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting:THT
Collector-emitter voltage:1.2kV
Gate-emitter voltage:±30V
Collector current:46A
Pulsed collector current:140A
Turn-on time:36ns
Turn-off time:0.22µs
Type of transistor:IGBT
Power dissipation:543W
Kind of package:tube
Features of semiconductor devices:integrated anti-parallel diode
Gate charge:150nC
Technology:POWER MOS 7®
Technology:PT
Case:T-Max
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.006 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста