Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W

0.63/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:860426
Код:P8B10SB-5071
Артикул:P8B10SB-5071
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu SMD (LV)
Производитель:SHINDENGEN
Доступно на складе:
1857
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:3
Описание товара
Manufacturer:SHINDENGEN
Power dissipation:20W
Case:FB (TO252AA)
Mounting:SMD
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Technology:EETMOS3
Drain current:8A
On-state resistance:94mΩ
Type of transistor:N-MOSFET
Drain-source voltage:100V
Polarisation:unipolar
Gate charge:16.5nC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±20V
Pulsed drain current:24A
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:3
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста