Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W

1.94/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1137994
Код:P12F60HP2-5600
Артикул:P12F60HP2-5600
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu THT (LV)
Производитель:SHINDENGEN
Доступно на складе:
338
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:SHINDENGEN
Mounting:THT
Kind of package:bulk
Case:FTO-220AG (SC91)
Power dissipation:90W
Technology:Hi-PotMOS2
Polarisation:unipolar
Gate charge:26.5nC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±30V
Pulsed drain current:48A
Drain-source voltage:600V
Drain current:12A
On-state resistance:670mΩ
Type of transistor:N-MOSFET
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.001 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста