Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W

16.28/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1217515
Код:G3R75MT12D
Артикул:G3R75MT12D
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu THT (LV)
Производитель:GeneSiC SEMICONDUCTOR
Доступно на складе:
281
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:GeneSiC SEMICONDUCTOR
Technology:G3R™
Technology:SiC
Mounting:THT
Power dissipation:207W
Case:TO247-3
Kind of package:tube
Pulsed drain current:80A
Drain-source voltage:1.2kV
Drain current:29A
On-state resistance:75mΩ
Type of transistor:N-MOSFET
Polarisation:unipolar
Gate charge:54nC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:-5...15V
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.006 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста