Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 82A; 231W

17.70/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1388625
Код:S2M0080120D-SMC
Артикул:S2M0080120D
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu THT (LV)
Производитель:SMC DIODE SOLUTIONS
Доступно на складе:
25
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:SMC DIODE SOLUTIONS
Case:TO247-3
Kind of package:tube
Mounting:THT
Technology:SiC
Drain-source voltage:1.2kV
Drain current:29A
On-state resistance:137mΩ
Type of transistor:N-MOSFET
Power dissipation:231W
Polarisation:unipolar
Gate charge:54nC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:-10...25V
Pulsed drain current:82A
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.006 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста