Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W

37.00/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1845611
Код:DIW120SIC059-AQ
Артикул:DIW120SIC059-AQ
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu THT (LV)
Производитель:DIOTEC SEMICONDUCTOR
Доступно на складе:
30
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:DIOTEC SEMICONDUCTOR
Power dissipation:278W
Kind of package:tube
Case:TO247-3
Mounting:THT
On-state resistance:65mΩ
Type of transistor:N-MOSFET
Polarisation:unipolar
Gate charge:121nC
Technology:SiC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:-4...18V
Pulsed drain current:100A
Drain-source voltage:1.2kV
Drain current:46A
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.006 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста