Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W

7.08/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:871534
Код:G3R350MT12J
Артикул:G3R350MT12J
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu SMD (LV)
Производитель:GeneSiC SEMICONDUCTOR
Доступно на складе:
960
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:GeneSiC SEMICONDUCTOR
Mounting:SMD
Features of semiconductor devices:Kelvin terminal
Gate charge:12nC
Technology:G3R™
Technology:SiC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:-5...15V
Pulsed drain current:16A
Case:TO263-7
Drain-source voltage:1.2kV
Drain current:8A
On-state resistance:0.35Ω
Type of transistor:N-MOSFET
Power dissipation:75W
Polarisation:unipolar
Kind of package:tube
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.001 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста