Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW

0.25/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:265830
Код:2N7002P.215
Артикул:2N7002P,215
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu SMD (LV)
Производитель:NEXPERIA
Доступно на складе:
17332
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:NEXPERIA
Case:SOT23
Case:TO236AB
Mounting:SMD
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Polarisation:unipolar
Drain-source voltage:60V
Drain current:0.28A
On-state resistance:
Type of transistor:N-MOSFET
Power dissipation:0.42W
Gate charge:0.8nC
Technology:Trench
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±20V
Pulsed drain current:1.2A
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста