Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A

0.52/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1852740
Код:SIRA18ADP-T1-GE3
Артикул:SIRA18ADP-T1-GE3
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu SMD (LV)
Производитель:VISHAY
Доступно на складе:
2983
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:3
Описание товара
Manufacturer:VISHAY
Case:PowerPAK® SO8
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Drain-source voltage:30V
Drain current:24.5A
On-state resistance:13.5mΩ
Type of transistor:N-MOSFET
Power dissipation:9.4W
Polarisation:unipolar
Gate charge:21.5nC
Technology:TrenchFET®
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:-16...20V
Pulsed drain current:70A
Mounting:SMD
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:3
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста