Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 2A; Idm: 9A; 2W

1.36/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1432278
Код:SQ2308CES-T1-GE3
Артикул:SQ2308CES-T1_GE3
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu SMD (LV)
Производитель:VISHAY
Доступно на складе:
2102
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:VISHAY
Mounting:SMD
Case:SOT23
Power dissipation:2W
Technology:TrenchFET®
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Drain-source voltage:60V
Drain current:2A
On-state resistance:0.325Ω
Type of transistor:N-MOSFET
Polarisation:unipolar
Gate charge:3.5nC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±20V
Pulsed drain current:9A
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста