Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A

0.28/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:995538
Код:SI1012CR-T1-GE3
Артикул:SI1012CR-T1-GE3
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu SMD (LV)
Производитель:VISHAY
Доступно на складе:
590
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:5
Описание товара
Manufacturer:VISHAY
Mounting:SMD
Drain-source voltage:20V
Drain current:0.63A
On-state resistance:396mΩ
Type of transistor:N-MOSFET
Power dissipation:0.15W
Polarisation:unipolar
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Features of semiconductor devices:ESD protected gate
Gate charge:2nC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±8V
Pulsed drain current:2A
Case:SC75A
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:5
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста