Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 370W; TO247

11.13/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1453110
Код:R6030JNZ4C13
Артикул:R6030JNZ4C13
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu THT (LV)
Производитель:ROHM SEMICONDUCTOR
Доступно на складе:
597
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor:N-MOSFET
Polarisation:unipolar
Drain-source voltage:600V
Drain current:30A
Pulsed drain current:90A
Power dissipation:370W
Case:TO247
Gate-source voltage:±30V
On-state resistance:143mΩ
Mounting:THT
Gate charge:74nC
Kind of package:tube
Kind of channel:enhanced
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.006 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста