Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W

2.56/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:386818
Код:SIHD2N80AE-GE3
Артикул:SIHD2N80AE-GE3
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu SMD (LV)
Производитель:VISHAY
Доступно на складе:
24
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:VISHAY
Mounting:SMD
Drain-source voltage:800V
Drain current:1.8A
On-state resistance:2.5Ω
Type of transistor:N-MOSFET
Power dissipation:62.5W
Polarisation:unipolar
Features of semiconductor devices:ESD protected gate
Gate charge:10.5nC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±30V
Pulsed drain current:3.6A
Case:DPAK
Case:TO252
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста