Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB

5.32/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1674736
Код:SIHP24N80AE-GE3
Артикул:SIHP24N80AE-GE3
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu THT (LV)
Производитель:VISHAY
Доступно на складе:
974
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:VISHAY
Case:TO220AB
Kind of package:tube
Drain-source voltage:800V
Drain current:13A
On-state resistance:184mΩ
Type of transistor:N-MOSFET
Power dissipation:208W
Polarisation:unipolar
Gate charge:89nC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±30V
Pulsed drain current:51A
Mounting:THT
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.001 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста