Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; D2PAK,TO263

3.01/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:106369
Код:IRFBE30SPBF
Артикул:IRFBE30SPBF
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu SMD (LV)
Производитель:VISHAY
Доступно на складе:
72
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:VISHAY
Power dissipation:125W
Mounting:SMD
Kind of package:tube
Case:D2PAK
Case:TO263
Drain-source voltage:800V
Drain current:2.6A
On-state resistance:
Type of transistor:N-MOSFET
Polarisation:unipolar
Gate charge:78nC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±20V
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.002 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста