Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W

16.14/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:833999
Код:WMJ80N65F2-CYG
Артикул:WMJ80N65F2
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu THT (LV)
Производитель:WAYON
Доступно на складе:
141
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:WAYON
Type of transistor:N-MOSFET
Technology:WMOS™ F2
Polarisation:unipolar
Drain-source voltage:650V
Drain current:45A
Pulsed drain current:245A
Power dissipation:410W
Case:TO247-3
Gate-source voltage:±30V
On-state resistance:37mΩ
Mounting:THT
Gate charge:26.2nC
Kind of package:tube
Kind of channel:enhanced
Reverse recovery time:190ns
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.006 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста