Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W

0.28/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1167099
Код:DMN63D8LDW-7
Артикул:DMN63D8LDW-7
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Multikanālu tranzistori (LV)
Производитель:DIODES INCORPORATED
Доступно на складе:
1580
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:5
Описание товара
Manufacturer:DIODES INCORPORATED
Type of transistor:N-MOSFET x2
Polarisation:unipolar
Drain-source voltage:30V
Drain current:0.17A
Pulsed drain current:0.8A
Power dissipation:0.4W
Case:SOT363
Gate-source voltage:±20V
On-state resistance:4.5Ω
Mounting:SMD
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Kind of channel:enhanced
Features of semiconductor devices:ESD protected gate
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:5
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста