Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W

0.15/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1132816
Код:YJQ4666B-YAN
Артикул:YJQ4666B
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar P veida kanālu (LV)Tranzistori ar P veida kanālu SMD (LV)
Производитель:YANGJIE TECHNOLOGY
Доступно на складе:
3220
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:20
Описание товара
Manufacturer:YANGJIE TECHNOLOGY
Mounting:SMD
Drain-source voltage:-16V
Drain current:-5.6A
On-state resistance:60mΩ
Type of transistor:P-MOSFET
Power dissipation:2.2W
Polarisation:unipolar
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Gate charge:7.2nC
Technology:TRENCH POWER LV
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±10V
Pulsed drain current:-28A
Case:DFN2020-6
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:20
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста