Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -7.1A; Idm: -20A

1.16/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1863999
Код:SI2333CDS-T1-E3
Артикул:SI2333CDS-T1-E3
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar P veida kanālu (LV)Tranzistori ar P veida kanālu SMD (LV)
Производитель:VISHAY
Доступно на складе:
2923
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:VISHAY
Mounting:SMD
Drain-source voltage:-12V
Drain current:-7.1A
On-state resistance:59mΩ
Type of transistor:P-MOSFET
Power dissipation:2.5W
Polarisation:unipolar
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Gate charge:25nC
Technology:TrenchFET®
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±8V
Pulsed drain current:-20A
Case:SOT23
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста