Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W

1.55/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1852741
Код:SISS61DN-T1-GE3
Артикул:SISS61DN-T1-GE3
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar P veida kanālu (LV)Tranzistori ar P veida kanālu SMD (LV)
Производитель:VISHAY
Доступно на складе:
5939
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:VISHAY
Mounting:SMD
Case:PowerPAK® 1212-8
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Drain-source voltage:-20V
Drain current:-89.6A
On-state resistance:9.8mΩ
Type of transistor:P-MOSFET
Power dissipation:42.1W
Polarisation:unipolar
Gate charge:231nC
Technology:TrenchFET®
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±8V
Pulsed drain current:-200A
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста