Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A

0.80/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1402991
Код:SI4435FDY-T1-GE3
Артикул:SI4435FDY-T1-GE3
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar P veida kanālu (LV)Tranzistori ar P veida kanālu SMD (LV)
Производитель:VISHAY
Доступно на складе:
1503
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:VISHAY
Case:SO8
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Drain-source voltage:-30V
Drain current:-12.6A
On-state resistance:30mΩ
Type of transistor:P-MOSFET
Power dissipation:4.8W
Polarisation:unipolar
Gate charge:28nC
Technology:TrenchFET®
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±20V
Pulsed drain current:-32A
Mounting:SMD
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста