Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A

0.86/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1010990
Код:SI3421DV-T1-GE3
Артикул:SI3421DV-T1-GE3
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar P veida kanālu (LV)Tranzistori ar P veida kanālu SMD (LV)
Производитель:VISHAY
Доступно на складе:
1159
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:VISHAY
Technology:TrenchFET®
Mounting:SMD
Case:TSOP6
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Power dissipation:2.7W
Drain current:-8A
On-state resistance:19.2mΩ
Type of transistor:P-MOSFET
Polarisation:unipolar
Gate charge:69nC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±20V
Pulsed drain current:-50A
Drain-source voltage:-30V
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста