Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A

0.77/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1701043
Код:SI2319DDS-T1-GE3
Артикул:SI2319DDS-T1-GE3
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar P veida kanālu (LV)Tranzistori ar P veida kanālu SMD (LV)
Производитель:VISHAY
Доступно на складе:
2640
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:VISHAY
Technology:TrenchFET®
Mounting:SMD
Case:SOT23
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Power dissipation:1.7W
Drain-source voltage:-40V
Drain current:-3.6A
On-state resistance:0.1Ω
Type of transistor:P-MOSFET
Polarisation:unipolar
Gate charge:19nC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±20V
Pulsed drain current:-15A
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста