Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A

1.26/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1852769
Код:SI2319DS-T1-GE3
Артикул:SI2319DS-T1-GE3
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar P veida kanālu (LV)Tranzistori ar P veida kanālu SMD (LV)
Производитель:VISHAY
Доступно на складе:
2973
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:VISHAY
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Drain-source voltage:-40V
Drain current:-3A
On-state resistance:0.13Ω
Type of transistor:P-MOSFET
Power dissipation:1.25W
Polarisation:unipolar
Gate charge:17nC
Technology:TrenchFET®
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±20V
Pulsed drain current:-12A
Mounting:SMD
Case:SOT23
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста