Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4

1.57/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1128545
Код:IRFD9110PBF
Артикул:IRFD9110PBF
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar P veida kanālu (LV)Tranzistori ar P veida kanālu THT (LV)
Производитель:VISHAY
Доступно на складе:
353
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:VISHAY
Mounting:THT
Case:DIP4
On-state resistance:1.2Ω
Type of transistor:P-MOSFET
Power dissipation:1.3W
Polarisation:unipolar
Gate charge:8.7nC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±20V
Drain-source voltage:-100V
Drain current:-0.49A
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста