Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3

0.78/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1217529
Код:FDN306P
Артикул:FDN306P
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar P veida kanālu (LV)Tranzistori ar P veida kanālu SMD (LV)
Производитель:ONSEMI
Доступно на складе:
3705
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:ONSEMI
Type of transistor:P-MOSFET
Technology:PowerTrench®
Polarisation:unipolar
Drain-source voltage:-12V
Drain current:-2.6A
Power dissipation:0.5W
Case:SuperSOT-3
Gate-source voltage:±8V
On-state resistance:80mΩ
Mounting:SMD
Gate charge:17nC
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Kind of channel:enhanced
Features of semiconductor devices:logic level
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста