Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3

0.78/ gab.Cena
ieskaitot PVN 21%
ID:1217529
Kods:FDN306P
Artikuls:FDN306P
Grupa:Elektronika un rūpniecībaPusvadītājiTranzistoriUnipolārie tranzistoriTranzistori ar P veida kanāluTranzistori ar P veida kanālu SMD
Ražotājs:ONSEMI
Pieejamība piegādātāja noliktavā:
3610
Piegādes laiks:1-2 darba dienas
Minimalālais daudzums:1
Produkta apraksts
Manufacturer:ONSEMI
Type of transistor:P-MOSFET
Technology:PowerTrench®
Polarisation:unipolar
Drain-source voltage:-12V
Drain current:-2.6A
Power dissipation:0.5W
Case:SuperSOT-3
Gate-source voltage:±8V
On-state resistance:80mΩ
Mounting:SMD
Gate charge:17nC
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Kind of channel:enhanced
Features of semiconductor devices:logic level
(EN)
Parametri
Minimālais pasūtījums:1
Uzdot jautājumu


+371 67543310
P-PK 9-18
KATEGORIJAS